LGE 100N10B
- Process： SGT
- Configuration： Single
- ESD： No
- VDS(V)： 100
- VGS(±V)： 20
- ID@25°C(A)： 100
- Rdson@10V_TYP(mΩ)： 5.5
- Rdson@10V_MAX(mΩ)： 6.4
- Rdson@4.5V_TYP(mΩ)： 7.5
- Rdson@4.5V_MAX(mΩ)： 9.4
- EAS(mj)： 216
- Ciss(pF)： 2420
- Coss(pF)： 900
- Crss(pF)： 35.00
- Package： TO-263
- VGS(th)(V)： 1.8
所属分类：
关键词： LGE 100N10B
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