MOS-SGT新型Clip封装工艺进一步提高系统的功率密度与效率

耐压等级：30~250V，内阻0.8~40MR

产品特点：采用了先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构，拥有更低的内阻与超低的栅极电荷（Qg），采用新型Clip封装工艺进一步提高系统的功率密度与效率，测试VTH 0.2级别分档材料优越得一致性。

应用领域：电机驱动、电池管理系统、开关电源（SMPS）同步整流、新能源汽车OBC、其他DC/DC等领域。